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MUN2214T1G	文件：141.22 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：141.22 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T3	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T3G	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T3G	文件：141.22 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：141.22 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T3G	文件：150.54 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k 文件：150.54 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T3G	文件：150.29 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k 文件：150.29 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2214T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
80
R1 (kΩ)：
10
R2 (kΩ)：
47
R1/R2 Typ：
0.213
Vi(off) Max (V)：
0.5
Vi(on) Min (V)：
1.4
Package Type：
SC-59-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MUN2214供应商更新时间2025-10-12 16:01:00

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