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MUN2211T1_07	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2211T1G	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：150.44 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2211T1G	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2211T1G	文件：149.21 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k 文件：149.21 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2211T1G	文件：140.01 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.01 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2211T3	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2211T3G	文件：166.36 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：166.36 Kbytes 页数：18 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2211T3G	文件：140.01 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.01 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2211T3G	文件：149.21 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k 文件：149.21 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MUN2211
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
MMUN2211
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>35
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
35
R1 (kΩ)：
10
R2 (kΩ)：
10
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.8
Vi(on) Min (V)：
2.5
Package Type：
SC-59-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MUN2211	MOT	24+		2900		询价
深圳市弘为电子有限公司	MUN2211	MOTOROLA	24+	原厂封装	3000	原装现货假一罚十	询价
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芯有半导体（深圳）有限公司	MUN2211T1	ON	06+	原厂原装	2931	只做全新原装真实现货供应	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	MUN2211T3G	ON	23+	SOT-23	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市恒创达实业有限公司	MUN2211T1G	ON	17+	SOT23	6200	100%原装正品现货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	MUN2211T1	ON	24+	SC-59	6000	进口原装正品假一赔十,货期7-10天	询价

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