首页 >MUN2111T1G>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

MUN2111T1G

Bias Resistor Transistor

文件:236.97 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2111T1G

Bias Resistor Transistors

文件:112.25 Kbytes 页数:13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2111T1G

丝印:6A;Package:SC-59;Digital Transistors (BRT)

文件:108.63 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2111T1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

文件:149.93 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2111T1G

Digital Transistors (BRT)

文件:184.73 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2111T1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k

文件:146.35 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MUN2111T1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MUN2111T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SC-59

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
SC-59
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
ON/安森美
24+
SOT-23
57760
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
ON(安森美)
23+
SC-59
14187
公司只做原装正品,假一赔十
询价
ON/安森美
SMD
23+
6000
专业配单原装正品假一罚十
询价
ON/安森美
21+
SOT-23
30000
只做正品原装现货
询价
ON(安森美)
2511
SC-59
9850
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
ON/安森美
2450+
SOT-23
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
询价
ON
24+/25+
2710
原装正品现货库存价优
询价
ON
2016+
SOT-23
3500
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
ON
25+
SOT-23
2560
绝对原装!现货热卖!
询价
更多MUN2111T1G供应商 更新时间2025-10-9 8:12:00