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MUN2135T1G	文件：111.42 Kbytes Page：12 Pages	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：111.42 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2135T1G	文件：183.34 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：183.34 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2135T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2141T1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美
MUN2232T1	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	ON/安森美上传：深圳市天卓伟业电子有限公司	ON/安森美

产品属性

产品编号：
MUN2135T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3

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