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MUN2111T1	文件：112.25 Kbytes Page：13 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：112.25 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2111T1_06	文件：112.25 Kbytes Page：13 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：112.25 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2111T1G	文件：112.25 Kbytes Page：13 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：112.25 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2111T1G	文件：108.63 Kbytes Page：12 Pages	丝印：6A；Package：SC-59；Digital Transistors (BRT) 文件：108.63 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2111T1G	文件：149.93 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：149.93 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2111T1G	文件：184.73 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：184.73 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2111T1G	文件：146.35 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k 文件：146.35 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2111T1G	文件：236.97 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor 文件：236.97 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2111T3G	文件：112.25 Kbytes Page：13 Pages	Bias Resistor Transistors 文件：112.25 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2111T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MUN2111
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
MMUN2111
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>35
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
35
R1 (kΩ)：
10
R2 (kΩ)：
10
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.8
Vi(on) Min (V)：
2.5
Package Type：
SC-59-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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