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MTP35N06E	文件：301.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 55mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：301.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDT35N06	文件：1.49745 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET 文件：1.49745 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
PJD35N06A	文件：801.72 Kbytes Page：8 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A 文件：801.72 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJD35N06A-AU	文件：446.11 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@20A 文件：446.11 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MTP35N06E		24+	N/A	2820		询价
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深圳市威雅利发展有限公司	MTP35N06E	MOT	25+	TSSOP-14	8000	原厂原包装,终端BOM表可配单	询价
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深圳市恒创达实业有限公司	MTP36N06	ON	17+	TO-220	6200		询价

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