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MTP3N80	文件：302.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：302.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTP3N80	文件：131.27 Kbytes Page：2 Pages	TMOS POWER FETs 3 AMPERES 文件：131.27 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
PF3N80HA	文件：1.28939 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.28939 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RMP3N80LD	文件：267.19 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mosfet Features 800V,3A RDS(ON) 文件：267.19 Kbytes 页数：8 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
SSF3N80D	文件：995.77 Kbytes Page：7 Pages	800V N-Channel MOSFET 文件：995.77 Kbytes 页数：7 Pages	GOOD-ARK 固锝电子	GOOD-ARK

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