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MTD20N06	文件：257.35 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD20N06HD	文件：274.88 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewith	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD20N06HD	文件：293.59 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET20Amps,60VoltsN?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N06V	文件：176.95 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N06V	文件：257.35 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP20N06	文件：209.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Ju	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP20N06	文件：301.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP20N06V	文件：209.09 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP20N06V	文件：209.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Ju	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
NDT20N06	文件：3.1269 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NTD20N06	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N?묬hannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,DPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotalGateCharge •LowerandTighterVSD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06	文件：80.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET20Amps,60Volts,N−ChannelDPAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06	文件：162.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,N?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06G	文件：80.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET20Amps,60Volts,N−ChannelDPAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapacitances •LowerTotal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06G	文件：897.01 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD20N06HL	文件：897 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD20N06L	文件：272.53 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET-Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK/IPAK20A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV20N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications •PowerSupplies •Converters •Po	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06L	文件：462.09 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET TypicalApplications •PowerSupplies •Converters •PowerMotorControls •BridgeCircuits VDS ID(atVGS=10V) RDS(ON)(atVGS=4.5V) 60V 20A	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
NTD20N06L	文件：89.95 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET20Amps,60Volts,LogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD20N06L	文件：127.87 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MTD20N06HDL
制造商：
ON Semiconductor
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
功能描述：
MOSFET N LOGIC D-PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亚泰盈科电子有限公司	MTD20N06HDL	ON		SOT-252	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
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