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SPD50P03LG

P-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPD50P03LG

OptiMOS-PPower-Transistor

Features •P-Channel •Enhancementmode •Logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Highcurrentrating •Pb-freelead-plating,RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPR50P03-C

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SQD50P03

AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SQM50P03

AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SW50P03

P-channelEnhancedmodeTO-251MOSFET

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

VBZE50P03

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    MTB50P03HDLG

  • 功能描述:

    MOSFET PFET 30V 50A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多MTB50P03HDLG供应商 更新时间2025-7-13 16:36:00