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VBZE50P03	文件：626.22 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
50P03	文件：1.0229 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
50P03L	文件：1.02287 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEB50P03	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB50P03	文件：967.38 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEB50P03	文件：900.88 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP50P03	文件：900.88 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP50P03	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CJAC50P03	文件：1.72149 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
EMB50P03G	文件：213.14 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)60mΩ ID‐6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	VBZE50P03	VBsemi(台湾微碧)	2447	TO-252	105000	2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市铭威达电子科技有限公司	VBZE50P04				1500	原装现货	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	VBZE60N02		24+	N/A	72000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	VBZE7843	VBSEMI台湾微碧	23+	TO-252	22820	原装正品，支持实单	询价

更多VBZE50P03供应商更新时间2025-5-18 15:00:00

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