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SQM50P03	文件：163.18 Kbytes Page：9 Pages	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM50P03-07	文件：223 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM50P03-07	文件：220.02 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM50P03-07	文件：215.85 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM50P03-07-GE3	文件：180.29 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM50P03-07-GE3	文件：967.78 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SQM50P03-07-GE3	文件：163.18 Kbytes Page：9 Pages	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
50P03	文件：1.0229 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
50P03L	文件：1.02287 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEB50P03	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB50P03	文件：967.38 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEB50P03	文件：900.88 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50P03	文件：900.88 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50P03	文件：104.25 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CJAC50P03	文件：1.72149 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
EMB50P03G	文件：213.14 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)60mΩ ID‐6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50P03J	文件：198.13 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50P03JS	文件：198.66 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)50mΩ ID‐4.5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50P03K	文件：202.48 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50P03VAT	文件：185.37 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE

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详细参数

型号：
SQM50P03
制造商：
Vishay Siliconix
功能描述：
MOSFET P CH W/D 30V 50A TO263
功能描述：
MOSFET, P CH, W/D, 30V, 50A, TO263
功能描述：
MOSFET, P CH, W/D, 30V, 50A, TO263; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-50A; Drain Source Voltage
Vds：
-30V; On Resistance
Rds(on)：
0.005ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-2V ;RoHS
Compliant：
Yes

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