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MT48H8M32LFB5-75G	文件：1.812 Mbytes Page：71 Pages	256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM GeneralDescription TheMicron®256MbMobileSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining268,435,456-bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT48H8M32LFB5-75ITG	文件：1.812 Mbytes Page：71 Pages	256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM GeneralDescription TheMicron®256MbMobileSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining268,435,456-bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT48H8M32LFB5-75LG	文件：1.812 Mbytes Page：71 Pages	256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM GeneralDescription TheMicron®256MbMobileSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining268,435,456-bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT48H8M32LFB5-75LITG	文件：1.812 Mbytes Page：71 Pages	256Mb: 16 Meg x 16, 8 Meg x 32 Mobile SDRAM GeneralDescription TheMicron®256MbMobileSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining268,435,456-bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT48H8M32LFB5-75 IT:G TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：90-VFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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