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MT48LC2M32B2

SYNCHRONOUS DRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining67,108,864-bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe16,777,216-bitban

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT48LC2M32B2TG

SYNCHRONOUS DRAM

GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining67,108,864-bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthe16,777,216-bitban

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT48LC2M32B2P-6A

SDR SDRAM MT48LC2M32B2 ??512K x 32 x 4 Banks

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT48LC2M32B2TG

SDR SDRAM MT48LC2M32B2 ??512K x 32 x 4 Banks

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT48LC2M32B2TG-7ITG

SDR SDRAM MT48LC2M32B2 ??512K x 32 x 4 Banks

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT48LC2M32B2B5-6A AAT:J TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:90-VFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90VFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT48LC2M32B2B5-6A AIT:J

包装:托盘 封装/外壳:90-VFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90VFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT48LC2M32B2B5-6A AIT:J TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:90-VFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90VFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    MT48LC2M32B2

  • 制造商:

    MICRON

  • 制造商全称:

    Micron Technology

  • 功能描述:

    SYNCHRONOUS DRAM

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更多MT48LC2M32B2供应商 更新时间2024-5-1 16:50:00