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MT46V32M8TG-6T

DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM

GENERAL DESCRIPTION The DDR333 SDRAM is a high-speed CMOS, dy namic random-access memory that operates at a frequency of 167 MHz (tCK=6ns) with a peak data transfer rate of 333Mb/s/p. DDR333 continues to use the JEDEC standard SSTL_2 interface and the 2n-prefetch architecture. FEATURES

文件:152.46 Kbytes 页数:8 Pages

Micron

美光

MT46V32M8TG-6T IT:G TR

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Micron

美光

MT46V32M8TG-6T L:G TR

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Micron

美光

MT46V32M8TG-6T IT:G TR

Package:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP

ELPIDA

尔必达

MT46V32M8TG-6T L:G TR

Package:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP

ELPIDA

尔必达

MT46V32M8TG-6T:G TR

Package:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP

ELPIDA

尔必达

技术参数

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR

  • 存储容量:

    256Mb (32M x 8)

  • 时钟频率:

    167MHz

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 访问时间:

    700ps

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    66-TSSOP(0.400\,10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    66-TSOP

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更多MT46V32M8TG-6T供应商 更新时间2025-10-4 14:00:00