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MT46V32M8TG-6T IT:G TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP	Micron Technology Inc. Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-6	文件：152.46 Kbytes Page：8 Pages	DOUBLEDATARATEDDRSDRAM GENERALDESCRIPTION TheDDR333SDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorythatoperatesatafrequencyof167MHz(tCK=6ns)withapeakdatatransferrateof333Mb/s/p.DDR333continuestousetheJEDECstandardSSTL_2interfaceandthe2n-prefetcharchitecture. FEATURES	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT46V32M8TG-6T	文件：152.46 Kbytes Page：8 Pages	DOUBLEDATARATEDDRSDRAM GENERALDESCRIPTION TheDDR333SDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorythatoperatesatafrequencyof167MHz(tCK=6ns)withapeakdatatransferrateof333Mb/s/p.DDR333continuestousetheJEDECstandardSSTL_2interfaceandthe2n-prefetcharchitecture. FEATURES	MicronMicron Technology 镁光美国镁光科技有限公司	Micron

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MT46V32M8TG-6T IT:G TR

文件：100 bytes

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP

Micron Technology Inc.

MT46V32M8TG-6

文件：152.46 Kbytes

Page：8 Pages

DOUBLEDATARATEDDRSDRAM

GENERALDESCRIPTION TheDDR333SDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorythatoperatesatafrequencyof167MHz(tCK=6ns)withapeakdatatransferrateof333Mb/s/p.DDR333continuestousetheJEDECstandardSSTL_2interfaceandthe2n-prefetcharchitecture. FEATURES

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT46V32M8TG-6T

文件：152.46 Kbytes

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DOUBLEDATARATEDDRSDRAM

MicronMicron Technology

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

产品属性

产品编号：
MT46V32M8TG-6T IT
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR
存储容量：
256Mb（32M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）
供应商器件封装：
66-TSOP
描述：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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