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MT46V64M4TG-75:G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT46V64M4TG-75:G TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
MT46V64M4TG-75Z	文件：152.46 Kbytes Page：8 Pages	DOUBLEDATARATEDDRSDRAM GENERALDESCRIPTION TheDDR333SDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorythatoperatesatafrequencyof167MHz(tCK=6ns)withapeakdatatransferrateof333Mb/s/p.DDR333continuestousetheJEDECstandardSSTL_2interfaceandthe2n-prefetcharchitecture. FEATURES	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron

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MT46V64M4TG-75:G

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包装：托盘封装/外壳：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT46V64M4TG-75:G TR

文件：100 bytes

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包装：托盘封装/外壳：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT46V64M4TG-75Z

文件：152.46 Kbytes

Page：8 Pages

DOUBLEDATARATEDDRSDRAM

GENERALDESCRIPTION TheDDR333SDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorythatoperatesatafrequencyof167MHz(tCK=6ns)withapeakdatatransferrateof333Mb/s/p.DDR333continuestousetheJEDECstandardSSTL_2interfaceandthe2n-prefetcharchitecture. FEATURES

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

产品属性

产品编号：
MT46V64M4TG-75
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR
存储容量：
256Mb（64M x 4）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）
供应商器件封装：
66-TSOP
描述：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	MT46V64M4TG-75:G	MicronTechnologyInc.	2019+	66-TSOP	65500	原装正品货到付款,价格优势!	询价
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更多MT46V64M4TG-75:G供应商更新时间2024-5-24 10:38:00

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