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MT46V64M8BN-6 L:F

包装:托盘 封装/外壳:60-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

MT46V64M8BN-6 L:F TR

包装:管件 封装/外壳:60-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MT46V64M8BN-6 L

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR

  • 存储容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-FBGA(10x12.5)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

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更多MT46V64M8BN-6 L:F供应商 更新时间2024-6-21 15:22:00