512Mb: x16, x32 Mobile Low-Power DDR SDRAM Features

Mobile Low-Power DDR SDRAM Features • VDD/VDDQ = 1.70–1.95V • Bidirectional data strobe per byte of data (DQS) • Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle • Differential clock inputs (CK and CK#) • Commands entered on each positi

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Micron

美光

Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM

文件：113.66 Kbytes 页数：3 Pages

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Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM

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LPDRAM Memory

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MOBILE DDR 512M X32 VFBGA

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Package：90-VFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA

Micron Technology Inc.

Package：90-VFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA

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Package：90-VFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA

Micron Technology Inc.