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MT41J256M8HX-187E:D

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Micron

美光

MT41J256M8HX-187E:D

Package:78-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT41J256M8HX-187ED

2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features

DDR3 SDRAM 2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features • VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V • 1.5V center-terminated push/pull I/O • Differential bidirectional data strobe • 8n-bit prefetch architecture • Differential clock inputs (CK, CK#) • 8 internal banks • Nominal and dynamic on-di

文件:2.90783 Mbytes 页数:211 Pages

Micron

美光

MT41J512M8RA-15E

BGA DDR3 SDRAM 4G-Bit 512Mx8

MIC

昌福电子

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

MT41J512M8RA-15EIT

FBGA

产品属性

  • 产品编号:

    MT41J256M8HX-187E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3

  • 存储容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作温度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    78-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    78-FBGA(9x11.5)

  • 描述:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA

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