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MSC015SMA070B4	文件：1.5318 Mbytes Page：9 Pages	MSC015SMA070B4 Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET Product Overview The silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high-voltage applications. The MSC015SMA070B4 device is a 700 V, 15 mΩ SiC MOSFET in a TO- 文件：1.5318 Mbytes 页数：9 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MSC015SMA070B4	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 700V ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
MSC035SMA070B4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	MICROCHIP 微芯科技上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	MICROCHIP
MSC035SMA170B4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247-4	MICROCHIP 微芯科技上传：深圳市万佳诚业科技有限公司	MICROCHIP
MSC1202Y2RHHT	文件：0 bytes Page：0 Pages		TI 德州仪器上传：深圳市华高宇电子有限公司	TI

技术参数

package_carrier：
Tube
package_name：
36 UCS 3x3
Reverse Breakdown Voltage (min)：
0
Reverse Breakdown Voltage (typ)：
0
Reverse Breakdown Voltage (max)：
700
On-State Resistance (milliohms) (min)：
0
On-State Resistance (milliohms) (typ)：
15
On-State Resistance (milliohms) (max)：
19
Drain Current (dc) (min)：
0
Drain Current (dc) (typ)：
0
Drain Current (dc) (max)：
99
Junction Temperature (℃) (min)：
-55
Junction Temperature (℃) (typ)：
0
Junction Temperature (℃) (max)：
175

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