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MSB92AWT1	文件：61.25 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 文件：61.25 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSB92AWT1G	文件：61.25 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 文件：61.25 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSB92AWT1G	文件：123.31 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 文件：123.31 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSB92T1G	文件：99.99 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 文件：99.99 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSB92T1G	文件：79.17 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 文件：79.17 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSB92T1G_12	文件：99.99 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 文件：99.99 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSB92WT1	文件：61.25 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 文件：61.25 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MSB92WT1G	文件：61.25 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor 文件：61.25 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSB92	文件：300 bytes Page：1 Pages	高电压 PNP 双极晶体管 This High Voltage PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-59 package, which is designed for low power surface mount applications.	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Status：
Active
Description：
N-Channel MOSFET
Channel Polarity：
N Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
20
ID Max (A)：
90
PD Max (W)：
300
rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)：
7
Ciss Typ (pF)：
9235
Coss Typ (pF)：
811
Crss Typ (pF)：
752
Package Type：
TO-263

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MSB9供应商更新时间2026-1-27 16:01:00

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