| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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ON(安森美)SC-70 |
8500 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
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ONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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onsemi(安森美)SC-70-3 |
100 |
25 |
QQ询价 绝对原装正品 |
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8年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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ON-SEMIN/A |
48000 |
22+ |
原装正品 香港现货 |
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7年
留言
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ON/安森美SC70-3 |
56316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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5年
留言
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ON/安森美SOT-323 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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15年
留言
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ON(安森美)SC-70 |
8506 |
2602+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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15年
留言
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ONSEMIN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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12年
留言
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ON(安森美)SC-70 |
11999 |
26+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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7年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
26+ |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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7年
留言
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ON-SEMIN/A |
48000 |
22+ |
原装正品 香港现货 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)SC-70-3 |
3022 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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12年
留言
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ON/安森美 |
8540 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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5年
留言
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ON(安森美)NA |
50000 |
26+ |
原装正品，可配单 |
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3年
留言
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ON/安森美NA |
51000 |
25+ |
可订货请确认 |
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4年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-323 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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12年
留言
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ON/SC70-3 |
5000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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13年
留言
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ONSEMI/安森美NA |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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11年
留言
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ON/安森美NA |
12820 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
MSB92采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MSB92ASWT1G价格
MSB92ASWT1G价格：￥0.1493品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的MSB92ASWT1G多少钱，想知道MSB92ASWT1G价格是多少？参考价：￥0.1493。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MSB92ASWT1G批发价格及采购报价，MSB92ASWT1G销售排行榜及行情走势，MSB92ASWT1G报价。
MSB92T1G中文资料Alldatasheet PDF
更多MSB92AS1WT1G功能描述:两极晶体管 - BJT SSP SC70 HV XSTR PNP 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MSB92ASWT1功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MSB92T1功能描述:TRANS PNP GP BIPO 300V SC-59 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
MSB92T1G功能描述:两极晶体管 - BJT SS HV XSTR PNP 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MSB92WT1功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MSB92WT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
