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BB304	文件：293.45 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDualCapacitanceDiodes Features: Commoncathode	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BB304A	文件：60.17 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForFMtunersMonolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes) SiliconVariableCapacitanceDiode PreliminaryData ●ForFMtuners ●Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes ●Uniformsquarelawcharacteristics ●IdealHifituningdevicewhenusedinLow-distortionback-tobackconfiguration ●Color-codedcapacitancesubgr	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BB304C	文件：67.88 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB304C	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304CDW-TL-E	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304M	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304M	文件：68.48 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB304MDW-TL-E	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB-UHR304	文件：967.13 Kbytes Page：4 Pages	IndustrialUSB2.0&3.0Hubs Features(modeldependent) •ExpandoneUSBportto4or7USBports •USB2.0&USB3.0 •ESDprotection •HighretentionUSBconnectorsgripcablestight •Wideoperatingtemperature(USB2.0hubs) •USBhostportpowerorexternalPSUpower •Metalorplasticenclosures–desk,panel,DI	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
BC304	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC304	文件：133.64 Kbytes Page：3 Pages	PNPEXPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
BC304	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC304	文件：122.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC304	文件：15.37 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BD304	文件：246.23 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain- :hFE=30(Min.)@IC=-2A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-60V(Min.) ·ComplementtoTypeBD303 APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesupto25W,verticaldeflectioncircuitsincolorTVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD304N	文件：1.31669 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BD304N	文件：205.08 Kbytes Page：2 Pages	30AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BD304P	文件：205.08 Kbytes Page：2 Pages	30AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BD304P	文件：1.31667 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BD-A304ND	文件：250.16 Kbytes Page：3 Pages	hi-effredchips,GaAsPonGaPsubstrate	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT

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更多MSB304S供应商更新时间2024-5-21 16:16:00

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