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MS85N06	文件：725.91 Kbytes Page：3 Pages	Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 文件：725.91 Kbytes 页数：3 Pages	BWTECH	BWTECH
MS85N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Bruckewell	Bruckewell
SFF85N06M	文件：43.13 Kbytes Page：2 Pages	55 AMP (note 1) /60 Volts 7 mO N-Channel Trench Gate MOSFET 文件：43.13 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
SFF85N06Z	文件：43.13 Kbytes Page：2 Pages	55 AMP (note 1) /60 Volts 7 mO N-Channel Trench Gate MOSFET 文件：43.13 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
SUP85N06	文件：49.24 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET N-Channel 60-V (D-S) 175°C MOSFET 175°C Rated Maximum Junction Temperature TranchFET® Power MOSFETs 文件：49.24 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Status：
Active
Description：
N Channel Power MOSFET
Channel Polarity：
N Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
65
PD Max (W)：
176
rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)：
10.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
70
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
30
Ciss Typ (pF)：
2500
Coss Typ (pF)：
900
Crss Typ (pF)：
160
Package Type：
TO-200

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MS85N06供应商更新时间2026-1-17 16:55:00

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