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MRFG35010R1中文资料3.5 GHz, 10 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT数据手册恩XP规格书
MRFG35010R1规格书详情
描述 Description
OverviewMRFG35010R1 removed from active portfolio. Possible Replacement Part: MRFG35010AR1.
特性 Features
•Typical W–CDMA Performance: –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power: 1 Watt
\tPower Gain: 10 dB
\tEfficiency: 30%
•10 Watts P1dB @ 3550 MHz
•Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
•High Gain, High Efficiency and High Linearity
•RoHS Compliant
•In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
技术参数
- 型号:
MRFG35010R1
- 功能描述:
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装:
3,000
- 晶体管类型:
N 通道 JFET
- 频率:
-
- 增益:
- 电压 -
- 测试:
-
- 额定电流:
30mA
- 噪音数据:
- 电流 -
- 测试:
- 功率 -
- 输出:
- 电压 -
- 额定:
25V
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 包装:
带卷(TR)
- 产品目录页面:
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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