MRFG35010R1数据手册恩XP中文资料规格书

厂商型号	MRFG35010R1
功能描述	3.5 GHz, 10 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT
制造商	恩XP 恩XP
中文名称	N智浦
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-7 11:47:00
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MRFG35010R1规格书详情

描述 Description

OverviewMRFG35010R1 removed from active portfolio. Possible Replacement Part: MRFG35010AR1.

特性 Features

•Typical W–CDMA Performance: –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power: 1 Watt
\tPower Gain: 10 dB
\tEfficiency: 30%

•10 Watts P1dB @ 3550 MHz

•Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

•High Gain, High Efficiency and High Linearity

•RoHS Compliant

•In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

技术参数

型号：
MRFG35010R1
功能描述：
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
系列：
-
产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装：
3,000
晶体管类型：
N 通道 JFET
频率：
-
增益：
- 电压 -
测试：
-
额定电流：
30mA
噪音数据：
- 电流 -
测试：
- 功率 -
输出：
- 电压 -
额定：
25V
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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