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MRFG35010MT1数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRFG35010MT1

功能描述

3.5 GHz, 9 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:51:00

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MRFG35010MT1规格书详情

描述 Description

OverviewReplaced by MRFG35010NT1. There are no form, fit or function changes with this part replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead-free terminations. The MRFG35010MT1 is designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications at frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. The devices is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications.

特性 Features


•Typical W–CDMA Performance:  –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A @ 0.01% Probability)
Output Power: 900 mW
\tPower Gain: 10 dB
\tEfficiency: 28%


•9 Watts P1dB @ 3.55 GHz

•Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

•High Gain, High Efficiency and High Linearity

•In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRFG35010MT1

  • 功能描述:

    MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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