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MRFG35003N6T1数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRFG35003N6T1

功能描述

3.5 GHz, 3 W, 6 V Power FET GaAs PHEMT

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-10 11:10:00

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MRFG35003N6T1规格书详情

描述 Description

OverviewMRFG35003N6T1 removed from active portfolio. Possible Replacement Part: MRFG35003N6AT1.

特性 Features


•Typical W–CDMA Performance:  –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 6 Volts,
IDQ = 180 mA
Output Power: 450 mWatts
\tPower Gain: 9 dB
\tEfficiency: 24%



•3 Watts P1dB @ 3.55 GHz

•Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

•High Gain, High Efficiency and High Linearity

•N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

•In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRFG35003N6T1

  • 功能描述:

    MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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