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MRFG35010NT1中文资料PDF规格书
厂商型号 |
MRFG35010NT1 |
参数属性 | MRFG35010NT1 封装/外壳为PLD-1.5;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD |
功能描述 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
文件大小 |
173.43 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Freescaleiscreatingasmarter |
企业简称 |
freescale【飞思卡尔】 |
中文名称 | 飞思卡尔官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-21 11:22:00 |
MRFG35010NT1规格书详情
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications.
• Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01 Probability)
Output Power — 900 mW
Power Gain — 10 dB
Efficiency — 28
• 9 Watts P1dB @ 3.55 GHz
• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
产品属性
- 产品编号:
MRFG35010NT1
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
pHEMT FET
- 频率:
3.55GHz
- 增益:
10dB
- 功率 - 输出:
9W
- 封装/外壳:
PLD-1.5
- 供应商器件封装:
PLD-1.5
- 描述:
FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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