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MRFG35010中文资料飞思卡尔数据手册PDF规格书

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厂商型号

MRFG35010

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件大小

532.61 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc

中文名称

飞思卡尔 飞思卡尔半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 16:31:00

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MRFG35010规格书详情

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or Class A linear base station applications.

• Typical W−CDMA Performance: −42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,

IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A

@ 0.01 Probability)

Output Power — 1 Watt

Power Gain — 10 dB

Efficiency — 30

• 10 Watts P1dB @ 3.55 GHz

• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

产品属性

  • 型号:

    MRFG35010

  • 功能描述:

    TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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