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MRFG35005NT1中文资料3.5 GHz, 4.5 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRFG35005NT1

功能描述

3.5 GHz, 4.5 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-29 10:35:00

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MRFG35005NT1规格书详情

描述 Description

OverviewMRFG35005NT1 removed from active portfolio. Possible Replacement Part: MRFG35005ANT1.

特性 Features


•Typical W–CDMA Performance:  –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 80 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A @ 0.01% Probability)
Output Power: 450 mWatt
\tPower Gain: 11 dB
\tEfficiency: 25%


•4.5 Watts P1dB @ 3.55 GHz

•Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

•High Gain, High Efficiency and High Linearity

•N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

•In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRFG35005NT1

  • 功能描述:

    MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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