MRF8372R1数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
MRF8372R1 |
| 参数属性 | MRF8372R1 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
| 功能描述 | NPN SILICON RF LOW POWER TRANSISTOR 750 mW, 870 MHz |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | 恩XP 恩XP |
| 中文名称 | N智浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 17:58:00 |
| 人工找货 | MRF8372R1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MRF8372R1规格书详情
描述 Description
The RF Line
NPN Silicon RF Low Power TransistorDesigned primarily for wideband large signal predriver stages in 800 MHz and UHF frequency ranges.
• Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics
Output Power = 750 mW
Minimum Gain = 8.0 dB
Efficiency 60% (Typ)
• State–of–the–Art Technology
Fine Line Geometry
Gold Top Metal and Wires
Silicon Nitride Passivated
Ion Implanted Arsenic Emitters
• Circuit board photomaster available upon request by contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
• Order MRF8372 in tape and reel packaging by adding suffix:
R1 suffix = 500 units per reel
R2 suffix = 2,500 units per reel
技术参数
- 产品编号：
MRF8372R1
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
- 频率 - 跃迁：
870MHz
- 增益：
8dB ~ 9.5dB
- 功率 - 最大值：
2.2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SO
- 描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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