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MRF6VP11KH	文件：859.04 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF6VP11KHR6	文件：446.97 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 1.8--150MHz,1000W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFETs Designedprimarilyforpulsewidebandapplicationswithfrequenciesupto150MHz.Devicesareunmatchedandaresuitableforuseinindustrial,medicalandscientificapplications. •TypicalPulsePerformanceat130MHz:V	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6VP11KHR5	文件：812.27 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6VP11KHR6	文件：468.81 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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MRF6VP11KHR6	文件：748.8 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6VP11KHR6	文件：859.04 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF6VP11KHR6_09	文件：468.81 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6VP11KHR6_10	文件：748.8 Kbytes Page：11 Pages	RF Power Field Effect Transistor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF6VP11KHR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：NI-1230S-4 GW 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF MOSFET LDMOS DL 50V NI1230S-4	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF6VP11KHR6	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-1230 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
MRF6VP11KH
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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