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MRF5P21240HR6中文资料2110-2170 MHz, 52 W Avg., 2 x W-CDMA, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET数据手册恩XP规格书
MRF5P21240HR6规格书详情
描述 Description
Overview The MRF5P21240HR6 is designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications..
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特性 Features
•Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 2200 mA, Pout = 52 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain: 13 dB
\tDrain Efficiency: 24%
\tIM3 @ 10 MHz Offset: –36 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
\tACPR @ 5 MHz Offset: –39 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
•Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 180 Watts CW Output Power
•Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
•Internally Matched for Ease of Use
•Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
•Integrated ESD Protection
•Lower Thermal Resistance Package
•Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.
•RoHS Compliant
•In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
技术参数
- 型号：
MRF5P21240HR6
- 功能描述：
MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装：
3,000
- 晶体管类型：
N 通道 JFET
- 频率：
-
- 增益：
- 电压 -
- 测试：
-
- 额定电流：
30mA
- 噪音数据：
- 电流 -
- 测试：
- 功率 -
- 输出：
- 电压 -
- 额定：
25V
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 包装：
带卷(TR)
- 产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCA |
08+ |
SMD |
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