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MRF5P20180HR6数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRF5P20180HR6

功能描述

1930-1990 MHz, 38 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-8 22:58:00

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MRF5P20180HR6规格书详情

描述 Description

Overview MRF5P20180HR6 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.

特性 Features


•Typical 2-Carrier W-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 1600 mA, Pout = 38 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain: 14 dB
\tDrain Efficiency: 26%
\tIM3 @ 10 MHz Offset: –37.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
\tACPR @ 5 MHz Offset: –41 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth


•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 120 Watts CW Output Power

•Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

•Internally Matched for Ease of Use

•Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

•Integrated ESD Protection

•Lower Thermal Resistance Package

•Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

•RoHS Compliant

•In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF5P20180HR6

  • 功能描述:

    MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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