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MRF5P20180HR6中文资料1930-1990 MHz, 38 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET数据手册恩XP规格书
MRF5P20180HR6规格书详情
描述 Description
Overview MRF5P20180HR6 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.
特性 Features
•Typical 2-Carrier W-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 1600 mA, Pout = 38 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain: 14 dB
\tDrain Efficiency: 26%
\tIM3 @ 10 MHz Offset: –37.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
\tACPR @ 5 MHz Offset: –41 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 120 Watts CW Output Power
•Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
•Internally Matched for Ease of Use
•Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
•Integrated ESD Protection
•Lower Thermal Resistance Package
•Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.
•RoHS Compliant
•In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
技术参数
- 型号:
MRF5P20180HR6
- 功能描述:
MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装:
3,000
- 晶体管类型:
N 通道 JFET
- 频率:
-
- 增益:
- 电压 -
- 测试:
-
- 额定电流:
30mA
- 噪音数据:
- 电流 -
- 测试:
- 功率 -
- 输出:
- 电压 -
- 额定:
25V
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 包装:
带卷(TR)
- 产品目录页面:
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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