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MRF429分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MRF429

参数属性

MRF429 封装/外壳为211-11,2 型;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11

功能描述

The RF Line NPN Silicon Power Transistor 150W(PEP), 30MHz, 28V

封装外壳

211-11,2 型

文件大小

222.11 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

MA-COM

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更新时间

2026-2-5 13:32:00

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MRF429规格书详情

Designed primarily for high–voltage applications as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment.

• Specified 50 V, 30 MHz Characteristics —

Output power = 150 W (PEP)

Minimum gain = 13 dB

Efficiency = 45

• Intermodulation distortion @ 150 W (PEP) —

IMD = –32 dB (Max)

• Diffused emitter resistors for superior ruggedness

• 100 tested for load mismatch at all phase angles with 30:1

VSWR @ 150 W CW

产品属性

  • 产品编号:

    MRF429

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    50V

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    150W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    16A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    211-11,2 型

  • 供应商器件封装:

    211-11,2 型

  • 描述:

    TRANS RF NPN 50V 16A 211-11

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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