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MRF422分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MRF422

参数属性

MRF422 封装/外壳为211-11,2 型;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 35V 211-11

功能描述

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

封装外壳

211-11,2 型

文件大小

97.1 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

MOTOROLA

中文名称

摩托罗拉

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更新时间

2026-2-8 22:55:00

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MRF422规格书详情

The RF Line

NPN Silicon RF Power Transistor

Designed primarily for applications as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz.

• Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics —

Output Power = 150 W (PEP)

Minimum Gain = 10 dB

Efficiency = 40

• Intermodulation Distortion @ 150 W (PEP) —

IMD = –30 dB (Min)

• 100 Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

产品属性

  • 产品编号:

    MRF422

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    35V

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    150W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    20A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    211-11,2 型

  • 供应商器件封装:

    211-11,2 型

  • 描述:

    RF TRANS NPN 35V 211-11

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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