MRF422分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF422 |
| 参数属性 | MRF422 封装/外壳为211-11，2 型；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 35V 211-11 |
| 功能描述 | The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor |
| 封装外壳 | 211-11，2 型 |
| 文件大小 |
132.06 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | MACOM |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 20:00:00 |
| 人工找货 | MRF422价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MRF422规格书详情
The RF Line
NPN Silicon RF Power Transistor
Designed primarily for applications as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz.
• Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics —
Output Power = 150 W (PEP)
Minimum Gain = 10 dB
Efficiency = 40
• Intermodulation Distortion @ 150 W (PEP) —
IMD = –30 dB (Min)
• 100 Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
产品属性
- 产品编号：
MRF422
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
35V
- 增益：
13dB
- 功率 - 最大值：
150W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
20A
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
211-11，2 型
- 供应商器件封装：
211-11，2 型
- 描述：
RF TRANS NPN 35V 211-11
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MACOM |
2026+ |
SMD |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
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SMD |
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