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MRF426分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MRF426

参数属性

MRF426 封装/外壳为211-07;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:TRANS RF NPN 35V 3A 211-07

功能描述

The RF Line NPN Silicon Power Transistor 25W(PEP), 30MHz, 28V

封装外壳

211-07

文件大小

273.24 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

MA-COM

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 20:00:00

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MRF426规格书详情

Designed for high gain driver and output linear amplifier stages in 1.5 to 30 MHz HF/SSB equipment.

• Specified 28 V, 30 MHz characteristics —

Output power = 25 W (PEP)

Minimum gain = 22 dB

Efficiency = 35

• Intermodulation distortion @ 25 W (PEP) —IMD = –30 dB (max)

• 100 tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 VSWR

• Class A and AB characterization

• BLX 13 equivalent

产品属性

  • 产品编号:

    MRF426

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    35V

  • 增益:

    25dB

  • 功率 - 最大值:

    25W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 1A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    3A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    211-07

  • 供应商器件封装:

    211-07,STYLE 1

  • 描述:

    TRANS RF NPN 35V 3A 211-07

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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