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MRF282ZR1数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRF282ZR1

功能描述

2000 MHz, 10 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:58:00

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MRF282ZR1规格书详情

描述 Description

Overview The MRF282ZR1 is designed for Class A and Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

特性 Features


•Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 10 Watts PEP
\tPower Gain = 10.5 dB
\tEfficiency = 28%
\tIntermodulation Distortion = –31 dBc

•Specified Single–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 10 Watts CW
\tPower Gain = 9.5 dB
\tEfficiency = 35%

•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 10 Watts CW Output Power

•Excellent Thermal Stability

•Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

•RoHS Compliant

•Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF282ZR1

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR FET SOE PKG

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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