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MRF281SR1中文资料2000 MHz, 4 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF281SR1

功能描述

2000 MHz, 4 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:53:00

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MRF281SR1规格书详情

描述 Description

Overview MRF281SR1 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.

特性 Features


•Specified Two-Tone Performance @ 1930 and 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 4 Watts PEP
\tPower Gain = 11 dB
\tEfficiency = 30%
\tIntermodulation Distortion = –29 dBc

•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 4 Watts CW Output Power

•Excellent Thermal Stability

•Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

•S-Parameter Characterization at High Bias Levels

•RoHS Compliant

•Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF281SR1

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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