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MRF148	文件：144.93 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET The RF MOSFETLine RF Power Field-Effect Transistor N-ChannelEnhancement-Mode Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 175 MHz. • Superior High Order IMD • Specified 50 Volts, 30 MHz Characteristics Output Power = 30 Watts Pow 文件：144.93 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF148	文件：95.99 Kbytes Page：2 Pages	RF Power Field-Effect Transistor The RF MOSFETLine RF Power Field-Effect Transistor N-ChannelEnhancement-Mode Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 175 MHz. • Superior High Order IMD • Specified 50 Volts, 30 MHz Characteristics Output Power = 30 Watts Power 文件：95.99 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF148	文件：169.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET 文件：169.68 Kbytes 页数：6 Pages	MACOM	MACOM
MRF148	文件：300 bytes Page：1 Pages	FET Transistor	NJS 新泽西半导体	NJS
MRF148	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET	恩XP	恩XP
MRF148A	文件：84.36 Kbytes Page：2 Pages	Designed for power amplifier applications in industrial Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 175MHz. • Superior high order IMD IMD(d3) (SOW PEP): -35 dB (Typ.) IMD(d11) (30W PEP): -60 dB (Typ.) • Specified 50V, 30MHz characteristics: Output power: SOW Gain: 18dB (Typ.) 文件：84.36 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF148A	文件：42.93 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET DESCRIPTION: The ASI MRF148A is Designed for General Purpose Class B Power Amplifier Applications up to 175 MHz. FEATURES: • PG = 15 dB Typ. at 30 W /175 MHz • ηD = 50 Typ. at 30 W /30 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：42.93 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF148A	文件：285.74 Kbytes Page：7 Pages	Linear RF Power FET 30W, to 175MHz, 50V Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 175MHz. • Superior high order IMD IMD(d3) (30W PEP): –35 dB (Typ.) IMD(d11) (30W PEP): –60 dB (Typ.) • Specified 50V, 30MHz characteristics: Output power: 30W Gain: 18dB (Typ.) 文件：285.74 Kbytes 页数：7 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF148A	文件：285.74 Kbytes Page：7 Pages	Linear RF Power FET 30W, to 175MHz, 50V 文件：285.74 Kbytes 页数：7 Pages	MA-COM	MA-COM
MRF148A_15	文件：285.74 Kbytes Page：7 Pages	Linear RF Power FET 文件：285.74 Kbytes 页数：7 Pages	MA-COM	MA-COM

技术参数

Min Frequency(MHz)：
5
Max Frequency(MHz)：
175
Bias Voltage(V)：
50.0
Pout(W)：
30.00
Gain(dB)：
18.00
Efficiency(%)：
40
Type：
TMOS
Package：
Flange Ceramic Pkg
Package Category：
Flange Mount

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