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MRF148	文件：95.99 Kbytes Page：2 Pages	RF Power Field-Effect Transistor TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN-ChannelEnhancement-Mode Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorHighOrderIMD •Specified50Volts,30MHzCharacteristics OutputPower=30Watts Power	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MRF148	文件：144.93 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET TheRFMOSFETLineRFPowerField-EffectTransistorN-ChannelEnhancement-Mode Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorHighOrderIMD •Specified50Volts,30MHzCharacteristics OutputPower=30Watts Pow	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司
MRF148	文件：169.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司
MRF148A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Linear RF Power MOSFET 30W, to 175MHz, 50V Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 175MHz.; ·Superior High Order IMD - IMD(d11) (30W PEP): –60 dB (Typ.), IMD(d3) (30W PEP): –35 dB (Typ.)\n·100%Test for Load Mismatch at allPhase Angel with 30:1 VSWR\n·Lower Reverse Transfer Capacitance (3.0 pF typ.)\n·Specified 50V, 30MHz characteristics:18dB (Typ.), Output power: 30W, Efficiency: 40	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司
MRF148A	文件：42.93 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET DESCRIPTION: TheASIMRF148AisDesignedforGeneralPurposeClassBPowerAmplifierApplicationsupto175MHz. FEATURES: •PG=15dBTyp.at30W/175MHz •ηD=50Typ.at30W/30MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF148A	文件：285.74 Kbytes Page：7 Pages	Linear RF Power FET 30W, to 175MHz, 50V Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorhighorderIMD IMD(d3)(30WPEP):–35dB(Typ.) IMD(d11)(30WPEP):–60dB(Typ.) •Specified50V,30MHzcharacteristics: Outputpower:30W Gain:18dB(Typ.)	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
MRF148A	文件：84.36 Kbytes Page：2 Pages	Designed for power amplifier applications in industrial Designedforpoweramplifierapplicationsinindustrial,commercialandamateurradioequipmentto175MHz. •SuperiorhighorderIMD IMD(d3)(SOWPEP):-35dB(Typ.) IMD(d11)(30WPEP):-60dB(Typ.) •Specified50V,30MHzcharacteristics: Outputpower:SOW Gain:18dB(Typ.)	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MRF148A	文件：285.74 Kbytes Page：7 Pages	Linear RF Power FET 30W, to 175MHz, 50V	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.
MRF148A	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
MRF148A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans RF MOSFET N-CH 120V 6A 4-Pin Case 211-07	NJS New Jersey Semiconductor	NJS

技术参数

Min Frequency(MHz)：
5
Max Frequency(MHz)：
175
Bias Voltage(V)：
50.0
Pout(W)：
30.00
Gain(dB)：
18.00
Efficiency(%)：
40
Type：
TMOS
Package：
Flange Ceramic Pkg
Package Category：
Flange Mount

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