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MRF18060ALR3_08

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件:374.03 Kbytes 页数:10 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18090A

1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS

文件:175.03 Kbytes 页数:8 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF18090AS

1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS

文件:175.03 Kbytes 页数:8 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF18090B

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

文件:188.32 Kbytes 页数:8 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF18090BR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:393.19 Kbytes 页数:8 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18090BS

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

文件:188.32 Kbytes 页数:8 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF18090BSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:393.19 Kbytes 页数:8 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF185

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件:529.7 Kbytes 页数:4 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF185

RF POWER MOSFET

文件:37.04 Kbytes 页数:1 Pages

ASI

MRF185_02

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件:529.7 Kbytes 页数:4 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

技术参数

  • Min Frequency(MHz):

    960

  • Max Frequency(MHz):

    1215

  • Bias Voltage(V):

    28.0

  • Pout(W):

    5.00

  • Gain(dB):

    8.50

  • Efficiency(%):

    45

  • Type:

    Bipolar

  • Package:

    Flange Ceramic Pkg

  • Package Category:

    Ceramic Flange Mount

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更多MRF1供应商 更新时间2026-1-18 8:31:00