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MPSA29

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

MPSA29(LEGACY FAIRCHILD)

NPN Bipolar Junction Darlington Transistor

This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. • High gain device\n• Low current required to drive base of bipolar junction transistor;

ONSEMI

安森美半导体

MPSA29-C/TR

Darlington transistor

Semitehelec

Semitehelec

MPSA29_D75Z

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

MPSA29-AP

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 90V 0.5A TO92

Micro Commercial Co

Micro Commercial Co

产品属性

  • 产品编号:

    MPSA29

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO92-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多MPSA29供应商 更新时间2025-12-24 9:53:00