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MPSA29(LEGACY FAIRCHILD)中文资料NPN Bipolar Junction Darlington Transistor数据手册ONSEMI规格书
MPSA29(LEGACY FAIRCHILD)规格书详情
描述 Description
This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA.
特性 Features
• High gain device
• Low current required to drive base of bipolar junction transistor
技术参数
- 制造商编号
:MPSA29(LEGACY FAIRCHILD)
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- IC Continuous (A)
:0.8
- V(BR)CEO Min (V)
:100
- VCE(sat) Max (V)
:1.5
- hFE Min (k)
:10
- hFE Max (k)
:-
- fT Min (MHz)
:125
- Package Type
:TO-92-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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