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MPSA05	文件：482.53 Kbytes Page：2 Pages	NPN - High Current Transistor Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize22x22MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea5.7x3.9MILS EmitterBondingPadArea5.3x3.9MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPSA05	文件：126.3 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO: MPSA05:60V MPSA06:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MPSA05	文件：181.62 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeAmplifier	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MPSA05	文件：151.83 Kbytes Page：1 Pages	NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction HighTransitionFrequency RecommendedforDriverandLow-PowerOutputStages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MPSA05	文件：66.94 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●GeneralPurposeAmplifier	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
MPSA05	文件：212.98 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
MPSA05	文件：299.97 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSILICONEPITAXIALPOWERTRANSISTOR Thesedevicesareintendedforuseinaudiofrequencypoweramplifierandlowspeedswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MPSA05	文件：258.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier Features •Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MPSA05	文件：86.48 Kbytes Page：2 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MPSA05	文件：275.29 Kbytes Page：4 Pages	NPN/PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN/PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL	CDIL
MPSA05	文件：239.87 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MPSA05	文件：50.69 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto300mA. •Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPSA05	文件：58.34 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (DRIVER STAGE AMPLIFIER, VOLTAGE AMPLIFIER) DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. VOLTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES •ComplementarytoMPSA55. •DriverStageApplicationof20to25WattsAmplifiers.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MPSA05	文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages	Driver NPN Transistors DriverNPNTransistors PbLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MPSA05	文件：187.15 Kbytes Page：5 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR AMPLIFIERTRANSISTOR FEATURES *Collector-EmitterVoltage:VCEO=60V	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MPSA05	文件：107.46 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MPSA05	文件：89.67 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSA05	文件：111.79 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPSA05	文件：343.53 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MPSA05	文件：1.02924 Mbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
MPSA05
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MPSA05供应商更新时间2024-5-8 11:03:00

详细参数

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