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DXT2907A	文件：191.61 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-60V •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •ComplementaryNPNTypeAvailable(DXT2222A) •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Devic	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DXT2907A	文件：238.05 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speed,medium-powerswitchingapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
DZT2907A	文件：206.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DZT2222A) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FFB2907A	文件：90.05 Kbytes Page：7 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB2907A	文件：62.56 Kbytes Page：5 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiring collectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2907	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FJX2907ATF	文件：45.56 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FMBT2907	文件：616.1 Kbytes Page：9 Pages	600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor 600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Ascomplementarytype,theNPNtransistorFMBT2222/	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT2907A	文件：616.1 Kbytes Page：9 Pages	600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor 600mAGeneralPurposePNPEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Ascomplementarytype,theNPNtransistorFMBT2222/	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT2907AW	文件：71.57 Kbytes Page：9 Pages	PNPSMDTransistor 600mAGeneralPurposeTransistorPNPSilicon Features •Highcollector-emitterbreakdownvoltage (BVCEO=-60V@IC=-10mA) •PNPsiliconepitaxialplanartransistor,isdesignedforgeneral purposeandamplifierapplications. •Capableof150mWpowerdissipation. •Lead-freepartsfor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMMT2907	文件：41.49 Kbytes Page：2 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES *Fastswitching COMPLIMENTARYTYPES-FMMT2907-FMMT2222 -FMMT2907A-FMMT2222A PARTMARKINGDETAIL-FMMT2907-2BZ FMMT2907A-2F FMMT2907R-4P	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT2907A	文件：41.49 Kbytes Page：2 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES *Fastswitching COMPLIMENTARYTYPES-FMMT2907-FMMT2222 -FMMT2907A-FMMT2222A PARTMARKINGDETAIL-FMMT2907-2BZ FMMT2907A-2F FMMT2907R-4P	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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FXT2907A	文件：68.06 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES 60VoltVCEO Fastswitching	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT2907	文件：39 Kbytes Page：2 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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详细参数

型号：
MPS2907ARLRE
功能描述：
两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MPS2907ARLREG	onsemi	24+	TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多MPS2907ARLRE供应商更新时间2024-6-8 15:00:00

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