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MPS3563RLRA

Amplifier Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MPS3563RLRAG

Amplifier Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

PN3563

NPNRFAmplifier

NPNSmallSignalHighFrequencyAmplifiers&Oscillators

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

PN3563

NPN-RFTransistorChip

SmallSignalTransistor NPN-RFTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14.5x14.5MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea2.4x2.2MILS EmitterBondin

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

PN3563

SmallSignalTransistors

SmallSignalTransistors TO-92Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

PN3563

NPNRFAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SGA-3563

DC-5000MHzSiliconGermaniumCascadableHBTMMICAmplifier

SIRENZA

SIRENZA MICRODEVICES

SGA-3563

SGA-3563DC-5.0GHzCascadeableMMICAmplifier

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

SGA3563Z

DCto5000MHz,CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

SGA-3563Z

DC-5000MHzSiliconGermaniumCascadableHBTMMICAmplifier

SIRENZA

SIRENZA MICRODEVICES

详细参数

  • 型号:

    MPS3563RLRA

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 50mA 12V NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多MPS3563RLRA供应商 更新时间2025-6-11 11:06:00