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PMBT2907AYS	文件：704.86 Kbytes Page：15 Pages	60V,600mA,doublePNPswitchingtransistor Generaldescription DoublePNPswitchingtransistorinaverysmallSOT363(TSSOP6)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. DoubleNPNcomplement:PMBT2222AYS Featuresandbenefits •Doublegeneral-purposeswitchingtransistor •AEC-Q101qualified Applications •Switchingandlineara	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMST2907A	文件：45.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinanSC-70;SOT323plasticpackage.NPNcomplement:PMST2222A. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS •Mediumpowerswitching •Generalpurposeamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
PMST2907A	文件：663.25 Kbytes Page：13 Pages	60V,600mAPNPswitchingtransistor 1.Generaldescription PNPswitchingtransistorinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PMST2222A 2.Featuresandbenefits •Generalpurposeswitchingtransistor •AEC-Q101qualified 3.Applications •Switchingandlinearamplification	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PN2907	文件：71.09 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:PN2222A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	ETC
PN2907	文件：58.25 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Description ThePN2907A,MMBT2907A,andPZT2907Aare60V-PNPbipolartransistorsdesignedforuseasageneral-purposeamplifierorswitchinapplicationsthatrequireupto500mA.Offeredinanultra-smallsurface-mountpackage(SOT-223),thePZT2907Aisidealforspace-constrainedsystems.T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PN2907	文件：42.16 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto500mA.SourcedfromProcess63.SeePN2907Aforcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PN2907	文件：231.25 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS THE2N2907,2N2907A,PN2907,PN2907AAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORGENERALPURPOSEAMPLIFIERSANDMEDIUMSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
PN2907	文件：55.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PN2907	文件：64.91 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •LowLeakagecurrent •Lowcollectorsaturationvoltageenablinglowvoltageoperation •ComplementarypairwithPN2222	AUK AUK corp	AUK
PN2907	文件：96.52 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarSwitchingTransistors Si-EpitaxialPlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

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技术参数

Product Polarity：
PNP
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
-40
VCBO (V)：
-60
VEBO (V)：
-5.0
IC (A)：
-0.6
PC (W)：
0.625
HFE：
200-300
@IC (mA)：
-1.0
@VCE (V)：
-10
ICBO：
-0.1 µA
IEBO：
-0.1 µA
VCE(sat) (V)：
-0.6
VBE(sat) (V)：
-1.2
FT (MHz)：
300
Package Qty：
Bulk
FIT：
48; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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