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PN2907	文件：58.25 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description The PN2907A, MMBT2907A, and PZT2907A are 60 V-PNP bipolar transistors designed for use as a gen eral-purpose amplifier or switch in applications that require up to 500 mA. Offered in an ultra-small surface-mount package (SOT-223), the PZT2907A is ideal for space-constrained systems. T 文件：58.25 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
PN2907	文件：42.16 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 63. See PN2907A for characteristics. 文件：42.16 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
PN2907	文件：315.66 Kbytes Page：8 Pages	PNP General-Purpose Transistor Description This device is designed for use with general-purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from process 63. 文件：315.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PN2907	文件：71.09 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistor DESCRIPTION PNP switching transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: PN2222A. FEATURES • High current (max. 600 mA) • Low voltage (max. 60 V). APPLICATIONS • Switching and linear amplification. 文件：71.09 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
PN2907	文件：64.91 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor Descriptions • General purpose application • Switching application Features • Low Leakage current • Low collector saturation voltage enabling low voltage operation • Complementary pair with PN2222 文件：64.91 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
PN2907	文件：316.13 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Complementary Silicon Transistors for Switching and Linear Applications. 文件：316.13 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
PN2907	文件：324.65 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR PN2906, PN2907 series types are silicon PNP epitaxial planar transistors designed for small signal, general purpose switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：324.65 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
PN2907	文件：96.52 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial Planar Switching Transistors Si-Epitaxial Planar Switching Transistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92(10D3) • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：96.52 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
PN2907	文件：215.05 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose amplifier and high-speed, medium-power switching applications. 文件：215.05 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
PN2907	文件：231.25 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS THE 2N2907, 2N2907A, PN2907, PN2907A ARE PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS. 文件：231.25 Kbytes 页数：4 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS

晶体管资料

型号：
PN2907A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_通用（G）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSW24,2N2907A,3CK10C,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
A-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.6

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.6
IC Cont. (A)：
0.8
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
2.6
hFE Min：
100
hFE Max：
300
PTM Max (W)：
0.625
Package Type：
TO-92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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