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PN2907A	文件：65.19 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor Descriptions • General purpose application • Switching application Features • Low Leakage current • Low collector saturation voltage enabling low voltage operation • Complementary pair with PN2222A 文件：65.19 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
PN2907A	文件：316.13 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS Complementary Silicon Transistors for Switching and Linear Applications. 文件：316.13 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
PN2907A	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) 文件：20.68 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
PN2907A	文件：324.65 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR PN2906, PN2907 series types are silicon PNP epitaxial planar transistors designed for small signal, general purpose switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：324.65 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
PN2907A	文件：37.61 Kbytes Page：4 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HPN2907A is designed for general purpose amplifier and high speed, medium-power switching applications. Features • Low Collector Saturation voltage • High Speed Switching • For Complementary Use with NPN Type HPN2222A 文件：37.61 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
PN2907A	文件：86.35 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Amplifier Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Through Hole Package • Capable of 600mWatts of Power Dissipation and 600mA Ic • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Marking: Part Number • Epoxy meets UL 94 文件：86.35 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
PN2907A_V01	文件：103.01 Kbytes Page：4 Pages	PNP General-Purpose Transistor Description This device is designed for use with general−purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. These devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS compliant. 文件：103.01 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PN2907A_V02	文件：691.66 Kbytes Page：11 Pages	60 V PNP General-Purpose Transistor Features • High DC Current Gain (hFE) Range: 100 ~ 300 • High-Current Gain Bandwidth Product (fT): 200 MHz (Minimum) • Maximum Turn-On Time (ton): 45 ns • Maximum Turn-Off Time (toff): 100 ns • Ultra-Small Surface-Mount Package: SOT-223 (PZT2907A) Description The PN2907A, MMBT2907A, and 文件：691.66 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PN2907A-AP	文件：61.46 Kbytes Page：5 Pages	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR ■ TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY ■ THE NPN COMPLEMENTARY TYPE IS PN2222A APPLICATIONS ■ WELL SUITABLE FOR TV AND HOME APPLIANCE EQUIPMENT ■ SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITH HIGH GAIN AND LOW 文件：61.46 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
PN2907ABU	文件：691.66 Kbytes Page：11 Pages	60 V PNP General-Purpose Transistor Features • High DC Current Gain (hFE) Range: 100 ~ 300 • High-Current Gain Bandwidth Product (fT): 200 MHz (Minimum) • Maximum Turn-On Time (ton): 45 ns • Maximum Turn-Off Time (toff): 100 ns • Ultra-Small Surface-Mount Package: SOT-223 (PZT2907A) Description The PN2907A, MMBT2907A, and 文件：691.66 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
PN2907A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_通用（G）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSW24,2N2907A,3CK10C,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
A-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.6

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.6
IC Cont. (A)：
0.8
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
2.6
hFE Min：
100
hFE Max：
300
PTM Max (W)：
0.625
Package Type：
TO-92-3

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